乔治·史密斯

　　史密斯1930年出生于美国纽约，在宾夕法尼亚大学获学士学位，在芝加哥大学获硕士和博士学位，1959年博士毕业后，史密斯加入了美国贝尔实验室。一开始，他的研究方向是半导体的电学性质和能带结构。