罗毅

　　罗毅，男，出生于1960年2月，1983年毕业于清华大学无线电电子学系电子物理与激光专业。清华大学教授，工学博士。

　　分别于1987年和1990年在日本东京大学工学部电子工学科获工学硕士与博士学位，1990年4月-1992年3月在日本光计测技术开发株式会社中央研究所任研究员。1992年4月回国，同年因学术成就突出被破格提升为清华大学电子工程系教授，1995年晋升为博士生导师。现担任集成光电子学国家重点联合实验室主任、清华大学实验区主任(该重点实验室在2002年由科技部组织的包括计算机、软件、信息材料与器件等所有36个信息类国家重点实验室的评估中获第一名)。曾任国际电机电子工程师学会主办的量子电子学杂志编委(Associate Editor of IEEE Journal of Quantum Electronics，1996-1998)。

　　2002年，罗毅教授负责的2500万元的GaN蓝光发光管的研究与开发项目通过了鉴定;建设了包括德国AIXTRON公司MOCVD设备在内的GaN材料与器件研究基地，自行研制的蓝色发光二极管获得突破，15000余个器件的测试结果表明，器件的典型工作特性与国际上高亮度发光二极管的市场水平基本相当。

　　2003年，正式在深圳研究生院建立了以罗毅教授为实验室主任的半导体照明实验室，主要从事大功率照明用LED的封装技术研究，从而建成了从芯片外延到器件封装的一整套研究平台。科技部启动了半导体照明工程后，罗毅教授被选为专家组成员。

　　罗毅教授主要从事半导体光电子器件方面的研究工作，其中包括器件物理与设计，化合物半导体材料的外延生长技术、全息光栅的制作技术、器件制作工艺技术、材料与器件特性的评价技术。

　　2021年11月18日，当选为中国工程院院士。