陈小龙

　　陈小龙，男，现任中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心研究员，获国家杰出青年科学基金(1999)和国家级“新世纪百千万人才工程”(2009)，博士生导师。

　　1991年博士毕业于中国科学院物理研究所，德国海德堡(Heidelberg)大学和拜罗伊特(Bayreuth)大学洪堡学者。

　　长期从事功能晶体材料研究工作，(1)发展了宽禁带半导体碳化硅晶体生长新方法，实现了我国碳化硅晶体生长和加工技术从零到一、产品从无到有、产业自主可控，带动了我国宽禁带半导体产业的快速发展；(2)提出了固液界面能调控晶型的学术思想，发明了异质籽晶上生长立方相碳化硅(3C-SiC)晶体新方法，成功生长出高质量3C-SiC晶体，使我国在国际上率先拥有了可产业化应用的3C-SiC生长技术；(3)发现了金属插层铁硒基系列高温超导体，开辟了国际超导研究新方向，被《自然-材料》社论列为本世纪超导研究的主要进展之一；发明非磁性元素掺杂和空位诱导SiC晶体室温铁磁性新方法；揭示SiC晶体的重要光学性质，将其应用于中红外非线性光学频率变换，实现了中红外激光输出；提出结构基元设计先进功能材料的学术思想，突破了晶体化学领域“鲍林规则”，发现200余种全新的电磁功能晶体。 发表学术论文450余篇，他引11000余次，单篇最高他引1000余次；制定国家标准3项；授权发明专利63项(国际专利6项)。

　　2025年11月，当选中国科学院院士(技术科学部)。