杨光军

　　杨光军，男，汉族，1981年10月生，九三学社，硕士研究生，上海华虹宏力半导体制造有限公司部级工程师(一级)兼设计部副部长，高级工程师。

　　该同志从事存储器设计18年，他主持的“一种新型镜像浮栅闪存存储单元及应用”项目荣获“上海市技术发明一等奖”；参与的“0.13微米嵌入式自对准分栅闪存技术与工艺开发”项目荣获“上海市科技进步一等奖”。已授权的中国发明专利和美国专利250余项，被SCI收录相关文章9篇。作为课题负责人，主持上海市科委项目1个；作为技术骨干，参与国家重大科技项目3个、上海市科委项目1个。作为团队负责人，带领团队研发出自有知识产权的闪存技术，开发300多个自主知识产权的闪存IP模块，构筑高质量的自主IP应用平台，为业界提供了光罩层数最少的IP解决方案和面积最小的闪存IP。IP累计已用于近2000种芯片中，制造了超250亿颗芯片，销售额超过100亿，助力公司成为全球智能卡芯片的最大供应商和全球MCU芯片的主要供应商，及业界领先的嵌入式闪存特色工艺和IP供应商。其中，SIM卡芯片市场占有率超过50%，国产银行卡芯片市场占有率超过70%，MCU芯片市场占有率10%。

　　2025年，被授予“全国劳动模范”荣誉称号。